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晶湛半导体申请光耦合结构相关专利,提高光线耦合效率

0次浏览     发布时间:2025-04-10 08:53:00    

金融界2025年4月10日消息,国家知识产权局信息显示,苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种光耦合结构及其制作方法、一种光通信系统”的专利,公开号 CN 119781114 A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本申请实施例提供一种光耦合结构及其制作方法、一种光通信系统,光耦合结构包括依次层叠设置的对准层、生长衬底和发光外延层,生长衬底用于外延制作发光外延层,生长衬底包括第一通孔,发光外延层对准于第一通孔,对准层包括第二通孔,第二通孔用于设置光纤输入端,提高光纤输入端在光耦合结构中的稳固性;还包括卡合结构,用于贯通第一通孔和第二通孔,可以卡合并固定对准层和生长衬底,有效提升光耦合结构的整体稳固性,还可以使得发光外延层对准于光纤输入端,发光外延层的出光经第一通孔和第二通孔直接进入光纤输入端,改善光线耦合效率。

天眼查资料显示,苏州晶湛半导体有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币,实缴资本7995.993431万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目37次,财产线索方面有商标信息71条,专利信息279条,此外企业还拥有行政许可24个。

本文源自金融界

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